南亚科技申请内存装置及其内部电压测量方法专利,主内存芯片与从内存芯片的输出垫相耦接
创始人
2026-03-03 12:16:10
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国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“内存装置及其内部电压测量方法”的专利,公开号CN121600987A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种内存装置及其内部电压测量方法。主内存芯片与从内存芯片的输出垫相耦接。当主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的其一导通时,主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的另一断开。

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来源:市场资讯

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