国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“半导体老化监测”的专利,公开号CN122283369A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本公开涉及半导体老化监测。提供了老化监测器电路,其将老化振荡器频率与新鲜振荡器频率进行比较来确定老化值。还提供了电源电压调节电路,其可以使用第一和第二振荡器来识别维持晶体管性能水平所需的电源电压调节量。
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来源:市场资讯
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