半水科技申请具有硅挡块电极结构的真空传感器专利，提高真空传感器制备的良品率_元器件

半水科技申请具有硅挡块电极结构的真空传感器专利，提高真空传感器制备的良品率

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2026-02-14 15:41:06

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国家知识产权局信息显示，半水科技（厦门）有限公司申请一项名为“具有硅挡块电极结构的真空传感器以及制备工艺”的专利，公开号CN121498955A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供具有硅挡块电极结构的真空传感器，包括第一硅片、分别设置于第一硅片两表面的第一玻璃片和第二玻璃片、设置于第二玻璃片上的挡块；所述第一硅片两表面分别设置参考腔和电容腔，所述第一玻璃片设置于第一硅片上具有参考腔的表面，所述第二玻璃片设置于第一硅片上具有电容腔的表面，且挡块位于所述电容腔内；同时还提供具有硅挡块电极结构的真空传感器的制备工艺用于制备真空传感器；本发明的具有硅挡块电极结构的真空传感器，通过在第一硅片上设置第一玻璃片，在第一硅片上制备的参考腔可控，以使形成的薄膜在大气压作用下向第一玻璃片移动时被第一玻璃片顶住，从而避免薄膜继续移动而导致的破裂，提高了真空传感器制备的良品率。

天眼查资料显示，半水科技（厦门）有限公司，成立于2022年，位于厦门市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，半水科技（厦门）有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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