国家知识产权局信息显示,安徽亿年半导体有限公司申请一项名为“一种高抗污聚乙烯醇缩醛膜、制备方法及其应用”的专利,公开号CN122234540A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造及微电子加工技术领域,尤其涉及一种高抗污聚乙烯醇缩醛膜、制备方法及应用。本发明通过对聚乙烯醇缩醛的成膜液中引入微量的含氟表面活性剂,利用其在成膜过程中的表面自迁移效应,可在薄膜表面构筑了一层稳定、致密的疏水抗污染屏障,该屏障能有效排斥和减少环境中有机气相污染物及水汽的吸附,使薄膜在洁净室环境中的光学性能保持稳定,相较于未有加入含氟表面活性剂,其抗污染性能显著提升,可利于延长保护膜的使用寿命。
天眼查资料显示,安徽亿年半导体有限公司,成立于2021年,位于滁州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5550万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽亿年半导体有限公司参与招投标项目3次,专利信息45条,此外企业还拥有行政许可4个。
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来源:市场资讯