ASM申请用于混合键合的方法和结构专利，提供一种用于制造半导体结构的方法
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2026-02-11 12:41:53
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于混合键合的方法和结构”的专利，公开号CN121487632A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本技术的各种实施例可以提供一种用于制造半导体结构的方法。该方法可以包括：接收具有介电层和导电特征的源衬底，仅在导电特征的顶表面上选择性地沉积阻挡层，改性介电层的顶表面，以及在改性介电层之后去除阻挡层。该方法还可以包括在沉积阻挡层之前清洁介电和导电特征的顶层。
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来源：市场资讯
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