晶合集成申请半导体结构专利，提高高压MOS管的击穿电压
创始人
2026-01-13 17:37:01
0次
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜”的专利，公开号CN121310613A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区的第一边界，在第二表面定义出沟道有源区的第二边界；沟道有源区具有连接第一边界和第二边界的至少一个钝化连接部；钝化连接部沿从沟道有源区内部向场氧化结构延伸的方向凸出；钝化连接部由一或多个倾斜平面或曲面构成；覆盖第一表面且与场氧化结构相连的栅氧化层；形成于栅氧化层远离基底一侧的栅极。通过本申请实施例，提高了高压MOS管的击穿电压。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
2025年净资产预计为负 亿晶...
1月13日，亿晶光电（600537）发布公告，公司股票可能被实施退市风险警示。根据《上海证券交易所股...
美光科技申请用于数据完整性评估...
国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“用于数据完整性评估的存储器页类型指示”的专利，公开...
高带宽存储器HBM板块1月13...
证券之星消息，1月13日高带宽存储器HBM板块较上一交易日下跌3.12%，精智达领跌。当日上证指数报...
阳光电源在芜湖成立新能源公司
天眼查工商信息显示，近日，芜湖瑑阳新能源有限公司成立，法定代表人为姜旭，注册资本100万人民币，经营...
捷佳伟创申请TOPCon太阳能...
国家知识产权局信息显示，深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请一项名为“一种TOPCon太阳能电池...
晶合集成申请半导体结构专利，提...
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案...
OPPO取得电子设备专利
国家知识产权局信息显示，OPPO广东移动通信有限公司取得一项名为“电子设备”的专利，授权公告号CN1...
中金公司保荐半导体设计龙头豪威...
1月12日，豪威集成电路（集团）股份有限公司（以下简称“豪威集团”）正式在香港联交所主板上市，绿鞋前...
东莞大鑫轻钢工程申请建筑钢结构...
国家知识产权局信息显示，东莞大鑫轻钢工程有限公司申请一项名为“一种建筑钢结构应力检测结构”的专利，公...
劲拓股份：主营电子装联设备应用...
证券之星消息，劲拓股份(300400)01月13日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...