晶合集成申请半导体结构专利，提高高压MOS管的击穿电压_元器件

晶合集成申请半导体结构专利，提高高压MOS管的击穿电压

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2026-01-13 17:37:01

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜”的专利，公开号CN121310613A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区的第一边界，在第二表面定义出沟道有源区的第二边界；沟道有源区具有连接第一边界和第二边界的至少一个钝化连接部；钝化连接部沿从沟道有源区内部向场氧化结构延伸的方向凸出；钝化连接部由一或多个倾斜平面或曲面构成；覆盖第一表面且与场氧化结构相连的栅氧化层；形成于栅氧化层远离基底一侧的栅极。通过本申请实施例，提高了高压MOS管的击穿电压。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业高压氧化投资有源表面导体晶合结构专利有源区半导体沟道衬底掩膜

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