燕东微取得CMOS器件及集成电路专利，提高了抗辐照的能力
创始人
2026-01-10 19:09:31
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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“CMOS器件及集成电路”的专利，授权公告号CN223786401U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种CMOS器件及集成电路，包括衬底、阱区、位于阱区远离衬底一侧的栅极结构、位于阱区内部的源漏注入区。抗辐射加固缓冲区，位于阱区内部，且环绕源漏注入区内的源区和漏区；隔离区，位于衬底的表面，且隔离区在衬底表面的正投影环绕抗辐射加固缓冲区在衬底表面的正投影。这样，可以将源漏区与隔离区隔离，且对原有CMOS器件的主体结构改变相对较小，在保证源区和漏区之间的沟道长度的前提下，即使总剂量辐照效应导致阱区与整个隔离区下的硅表层被反型，由于抗辐射加固缓冲区的存在，源区和漏区之间也无法形成漏电通道，提高了抗辐照的能力。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1078次，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可113个。
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来源：市场资讯
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