燕东微取得CMOS器件及集成电路专利，提高了抗辐照的能力
创始人
2026-01-10 19:09:31
0次
国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“CMOS器件及集成电路”的专利，授权公告号CN223786401U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种CMOS器件及集成电路，包括衬底、阱区、位于阱区远离衬底一侧的栅极结构、位于阱区内部的源漏注入区。抗辐射加固缓冲区，位于阱区内部，且环绕源漏注入区内的源区和漏区；隔离区，位于衬底的表面，且隔离区在衬底表面的正投影环绕抗辐射加固缓冲区在衬底表面的正投影。这样，可以将源漏区与隔离区隔离，且对原有CMOS器件的主体结构改变相对较小，在保证源区和漏区之间的沟道长度的前提下，即使总剂量辐照效应导致阱区与整个隔离区下的硅表层被反型，由于抗辐射加固缓冲区的存在，源区和漏区之间也无法形成漏电通道，提高了抗辐照的能力。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1078次，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可113个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
股市必读：艾为电子（68879...
截至2026年1月9日收盘，艾为电子(688798)报收于79.95元，上涨0.99%，换手率2.3...
AI需求引发存储芯片成本飙升，...
2026年1月10日，星纪魅族集团中国区CMO万志强在2026魅友新春会上正式宣布，原定推出的魅族2...
「经济发展」刘尚希：“政策支持...
刘尚希：“政策支持和改革创新并举”不是简单的相加，而是深度的嵌入融合——更好理解中国经济治理的深层逻...
Zettlab D4/D6 A...
IT之家 1 月 11 日消息，据科技媒体 TechPower Up 昨天报道，Zettlab D4...
PCB设备系列跟踪报告（二）：...
今天分享的是：PCB设备系列跟踪报告（二）：AI引领PCB资本开支浪潮，关注龙头PCB设备&耗材商 ...
四创电子(600990.SH)...
格隆汇1月11日丨四创电子(600990.SH)公布，经财务部门初步测算，预计2025年年度实现归属...
商络电子：向不特定对象发行可转...
商络电子公告，公司于2026年1月9日收到深交所出具的《关于受理南京商络电子股份有限公司向不特定对象...
CES访谈｜盖茨、亚马逊抢投硅...
在2026年美国拉斯维加斯的国际消费类电子产品展览会(CES)上，一个明显的变化正在发生。如果说过去...
从三亚起飞，韩国一航班移动电源...
韩国廉航德威航空1架客机，周六（10日）凌晨2时10分许从中国三亚起飞前往忠清北道清州，孰料1名乘客...
圣阳股份招标结果：山东圣阳电源...
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，山东圣阳电源股份有限公司1月8日发布《山东圣阳电源...