在追求高性能与实时响应的嵌入式系统中,静态随机存取存储器(SRAM)凭借其高速读写与低延迟特性,成为许多关键应用的优选。SRAM能够有效支持实时数据处理,保障系统流畅运行。相较于动态随机存取存储器(DRAM),SRAM无需频繁刷新,访问速度更快。

国内芯片厂商伟凌创芯(EMI)聚焦于专用芯片与小型SOC芯片的研发,推出了一系列高性价比的存储解决方案。其中,单片机外扩SRAM芯片EMI501NL16LM-55I,凭借出色的性能与功耗控制,获得了市场的广泛认可。单片机外扩sram广泛应用于需要外扩高速缓存的嵌入式系统,如网络设备、智能仪表、医疗仪器及高端消费电子等领域。
作为一款国产异步低功耗SRAM,单片机外扩sram芯片EMI501NL16LM-55I采用先进的全CMOS工艺制造,容量为1Mbit,组织结构为64K×16位,并搭载48球BGA封装,为用户系统设计提供了良好的硬件灵活性。其访问时间低至55ns,在-40℃至85℃的工业级温度范围内均可稳定工作,适用于严苛的环境条件。
单片机外扩sram芯片EMI501NL16LM-55I支持2.7V至3.6V的宽电压供电,具备完全静态操作能力,无需外部时钟或刷新电路,简化了系统设计。同时,单片机外扩sram还支持低数据保留电压,可配合电池备份方案进一步降低系统功耗。
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