芯元基取得半导体结构专利，提高了产品良率_元器件

芯元基取得半导体结构专利，提高了产品良率

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2026-01-08 14:17:06

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国家知识产权局信息显示，上海芯元基半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体结构”的专利，授权公告号CN223772443U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本实用新型提供的一种半导体结构中，第一电极与像素结构之间通过至少一个连接结构进行电性连接，且连接结构在钝化层上的投影图形的面积小于像素结构的底面面积，因此，在刻蚀像素结构来分离像素点时，不需要对金属进行刻蚀，从而避免了金属刻蚀时的碎屑飞溅，使得像素结构不易受损，进而提高了产品良率。此外，由于第一电极在绝缘层上的投影图形的直径大于连接结构在钝化层上的投影图形的直径，第一电极在绝缘层上的投影图形的直径大于若干个连接结构中心点之间的距离的两倍。因此，连接结构的排布密度大于第一电极的排布密度，从而使得第一电极并不需要与连接结构进行一对一的完全对准，进而使得在保证产品良率的同时降低了工艺要求。

天眼查资料显示，上海芯元基半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本675.0528万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯元基半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业进行电极投资提高了良率导体结构专利投影图钝化层像素图形

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