摩珂达半导体申请新型功率器件专利，避免因电位差产生漏电流
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2026-01-08 08:38:02
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国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“一种新型功率器件及其应用该器件的电力电子系统”的专利，公开号CN121285033A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种新型功率器件，将一个MOSFET通过有源区共用与一个JFET相结合，并且二者通过一个P阱分隔开来从而确保各自能够正常工作，当栅极控制电平先加在MOSFET的栅上，通过在外围电路对JFET的栅极产生一个控制电平以确保MOSFET先导通，JFET后导通；MOSFET先关断，JFET后关断。本发明将S i C MOSFET和S i C JFET结合在一个功率器件上，同时二者极性相同的区域被极性相反的区域物理分隔，从而避免了因两个极性相同的区域相连并存在电位差而产生的漏电流。
天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息11条。
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来源：市场资讯
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