爱思开海力士申请存储器装置及其制造方法专利，提升结构可靠性
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2026-01-07 20:08:05
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置和存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN121284970A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请涉及存储器装置和存储器装置的制造方法。一种存储器装置括在第一方向上交替层叠的导电层和层间绝缘层、以及从所述导电层当中的第一导电层起在所述第一方向上延伸的接触插塞。所述存储器装置还包括围绕所述接触插塞的侧表面的间隔件，其中，所述间隔件包括在所述第一方向上交替层叠的第一材料图案和第二材料图案。
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来源：市场资讯
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