格科微申请多值存储器形成方法专利，提高栅极控制能力
创始人
2026-05-20 01:59:11
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国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种多值存储器形成方法及多值存储器”的专利，公开号CN122069705A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种多值存储器形成方法，包括：于半导体衬底中形成电荷存储区，在所述电荷存储区上部位置形成浮置扩散区；于所述浮置扩散区的周围形成环形垂直转移晶体管，所述环形垂直转移晶体管沟道区域的任一点与环形垂直转移晶体管的栅极介质层的空间距离小于预设阈值，以使所述浮置扩散区的沟道区域的硅全部耗尽，提高栅极控制能力。

天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1109条，此外企业还拥有行政许可45个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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