中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够减少第二介质层的顶部表面的金属材料残留
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121237773A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括电容区和非电容区；在电容区上形成电容结构；在基底形成的第一介质层；在第一介质层内形成第一电互连结构。通过在第一介质层内形成第一电互连结构和电容结构，使得电容区和非电容区之间的器件结构密度和高度趋于一致，能够保证后续形成的第二介质层的顶部表面具有较好的平坦度，能够减少第二介质层的顶部表面的金属材料残留，有效降低后续形成的第二电互连结构发生短接漏电的问题。第一电互连结构和电容结构形成在同一工艺层，能够减少半导体结构堆叠的层数，以此减少半导体结构中产生的寄生电容，降低RC延迟。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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