爱思开海力士申请半导体芯片和半导体封装专利，包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装
创始人
2026-05-10 02:17:48
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体芯片和半导体封装”的专利，公开号CN121925115A，申请日期为2021年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体芯片和半导体封装。本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装。根据实施方式的半导体芯片包括：具有前表面和后表面的主体部分，该主体部分按照后表面在前表面上方的方式取向；穿透主体部分的第一贯通电极和第二贯通电极，其具有突出到主体部分的后表面上方的突起；形成在主体部分的前表面下方的布线部分；形成在主体部分的后表面上方并且与突起间隔开的电源图案；填充电源图案与突起之间的空间的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且分别连接到第一贯通电极和第二贯通电极的第一后连接电极和第二后连接电极，其中，第一后连接电极同时连接到第一贯通电极和电源图案的与第一贯通电极相邻的一部分。
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来源：市场资讯
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