尚积半导体申请实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置专利，显著提升晶圆刻蚀的均匀性_芯片

尚积半导体申请实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置专利，显著提升晶圆刻蚀的均匀性

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2025-12-27 18:07:58

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国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置”的专利，公开号CN121215573A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提出了实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置，属于半导体制造技术领域。实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀的装置包括：密封室、连接在密封室底部的分气盘、设置在密封室内的多组电动推杆和多个密封件；分气盘上具有多个独立隔离区；多个密封件与多个独立隔离区数量、位置和形状相匹配，每个密封件连接有一组电动推杆；电动推杆能够带动密封件升降，改变通入相应独立隔离区的气体流量。本发明能够将工艺气体精准地分配到晶圆上方的多个独立可控区域，通过实时、独立地调节每个区域的气体通量以显著提升晶圆刻蚀的均匀性。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息172条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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