江苏东晨电子申请提高方片电压及性能的SIPOS工艺专利,提升击穿电压一致性与高温可靠性
创始人
2026-05-06 11:38:40
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国家知识产权局信息显示,江苏东晨电子科技有限公司申请一项名为“一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺”的专利,公开号CN121985741A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺,其包括依次淀积第一掺氧多晶硅层、多晶硅层、第二掺氧多晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层;本发明通过五层复合钝化结构优化电场分布,有效抑制边缘电场集中,消除“双线”击穿现象,提升击穿电压一致性与高温可靠性。

天眼查资料显示,江苏东晨电子科技有限公司,成立于2009年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏东晨电子科技有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目18次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息57条,此外企业还拥有行政许可21个。

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来源:市场资讯

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