山西创芯光电申请铟柱制备方法专利,解决侧壁电极厚度过薄问题
创始人
2025-12-26 17:09:39
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国家知识产权局信息显示,山西创芯光电科技有限公司申请一项名为“一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器”的专利,公开号CN121218729A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本申请提供了一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器,属于红外探测器技术领域;解决了现有红外探测器电极爬坡生长工艺中侧壁电极厚度过薄、阻抗大等问题,该方法包括以下步骤:采用常规台面制作工艺形成各个接触层的台面,然后光刻开孔、钝化开孔,并清洗;采用金属蒸镀工艺在开孔中生长ubm金属,形成ubm电极,然后剥离、清洗;通过光刻工艺在各ubm电极上形成铟柱光刻孔,在铟柱光刻孔中生长铟层,然后剥离、清洗;对完成清洗后的芯片进行回流工艺,经回流工艺后通过铟柱的融化、表面张力作用得到上表面水平高度相同的均匀铟柱焊点;本申请应用于红外探测器的铟柱制备。

天眼查资料显示,山西创芯光电科技有限公司,成立于2018年,位于太原市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,山西创芯光电科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目54次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息48条,此外企业还拥有行政许可5个。

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来源:市场资讯

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