山西创芯光电申请铟柱制备方法专利，解决侧壁电极厚度过薄问题_芯片

山西创芯光电申请铟柱制备方法专利，解决侧壁电极厚度过薄问题

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2025-12-26 17:09:39

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国家知识产权局信息显示，山西创芯光电科技有限公司申请一项名为“一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器”的专利，公开号CN121218729A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器，属于红外探测器技术领域；解决了现有红外探测器电极爬坡生长工艺中侧壁电极厚度过薄、阻抗大等问题，该方法包括以下步骤：采用常规台面制作工艺形成各个接触层的台面，然后光刻开孔、钝化开孔，并清洗；采用金属蒸镀工艺在开孔中生长ubm金属，形成ubm电极，然后剥离、清洗；通过光刻工艺在各ubm电极上形成铟柱光刻孔，在铟柱光刻孔中生长铟层，然后剥离、清洗；对完成清洗后的芯片进行回流工艺，经回流工艺后通过铟柱的融化、表面张力作用得到上表面水平高度相同的均匀铟柱焊点；本申请应用于红外探测器的铟柱制备。

天眼查资料显示，山西创芯光电科技有限公司，成立于2018年，位于太原市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，山西创芯光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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