南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，降低接触电阻
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2025-12-26 17:09:24
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121218589A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本揭露提供一种半导体结构。半导体结构包括基板。基板包括沿第一方向延伸的主动区以及定义主动区的隔离结构。半导体结构进一步包括在基板中沿第二方向延伸跨越部分主动区的字元线结构，并将各主动区分成中心部分和端点部分，其中各端点部分具有至少两个曲率。具有此特定形状的主动区可提供端点部分扩大的面积，以增加主动区和电容接触件之间的接触面积，进而降低接触电阻。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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