晶合集成申请孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法专利，能够解决关键尺寸偏差问题_芯片

晶合集成申请孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法专利，能够解决关键尺寸偏差问题

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2026-04-13 16:00:44

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法”的专利，公开号CN121843506A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法。所述孔槽制备方法包括以下步骤：提供一层结构，所述层结构包括目标层及形成于目标层上的硬掩膜层；引入光刻技术，于所述硬掩膜层上形成窗口，所述窗口的顶部边缘形成有边缘缺陷；选择性地在窗口内形成填充结构，所述填充结构的材料与所述硬掩膜层的材料不相同，且所述填充结构的顶面高度与所述边缘缺陷的高度相适配；于所述边缘缺陷处填补修复材料以修复所述边缘缺陷，所述修复材料与所述填充结构的材料不相同；去除所述填充结构并沿着窗口向目标层的方向刻蚀所述目标层，形成孔槽。基于以上方法，本发明能够解决关键尺寸偏差问题。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目640次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1604条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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