芯德半导体申请芯片封装结构中介层及其制备方法专利，可制作高度更高的高铜柱_芯片

芯德半导体申请芯片封装结构中介层及其制备方法专利，可制作高度更高的高铜柱

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2025-12-03 00:35:47

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国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法”的专利，公开号CN121054491A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供中介层，在中介层上刻蚀制备多个微通孔；预制高铜柱，提供载体晶圆，在载体晶圆的第一表面键合中介层；将高铜柱精准配合至微通孔内，使微通孔金属化，高铜柱和微通孔之间的空隙填充绝缘材料并固化；解键合，解除载体晶圆，采用CMP露铜工艺将中介层表面多余的材料去掉，使中介层双面暴露出高铜柱端面。本发明采用预制高铜柱的方式，避免了电镀金属高铜柱的高度技术限制可以制作出高度更高的高铜柱，高铜柱的高度大于150μm，满足了微电子制程技术、半导体器件制造以及电子封装技术等领域对较高铜柱的需求。

天眼查资料显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95906.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息279条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资中介芯片通孔导体微电子结构专利微通孔铜柱高铜柱中介层

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