晶合集成申请MIM电容结构及其制备方法专利，可提高MIM电容结构的容值密度_芯片

晶合集成申请MIM电容结构及其制备方法专利，可提高MIM电容结构的容值密度

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2026-04-10 21:20:46

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MIM电容结构及其制备方法”的专利，公开号CN121843133A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MIM电容结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：在衬底上形成第一绝缘层，并采用预设光罩执行第一光刻工艺及刻蚀工艺在第一绝缘层中形成沟槽；依次形成第一导电层、第一介电层、第二导电层及第二介电层；采用预设光罩对第二介电层、第二导电层及第一介电层执行第二光刻工艺及刻蚀工艺，形成凸起结构，并暴露沟槽两侧的第一导电层的表面；形成第一侧墙结构，覆盖凸起结构的侧壁；依次形成第三导电层及第二绝缘层，第三导电层顺形地覆盖第一导电层、第一侧墙结构及凸起结构的表面，第二绝缘层覆盖第三导电层的表面。本申请可提高MIM电容结构的容值密度。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目639次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1594条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电投资容值集成电容绝缘层晶合结构专利电层

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