北京集成电路装备创新中心申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的电学性能以及产品良率
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2025-12-01 11:07:35
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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121035049A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。所提供的半导体器件的制备方法，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个相互平行的鳍部，相邻所述鳍部之间具有浅沟槽；利用可流动化学气相沉积工艺于所述浅沟槽内形成填充层，所述填充层的厚度小于所述浅沟槽的深度；利用干法刻蚀工艺对所述填充层进行回刻蚀，使得回刻蚀后剩余的填充层厚度达到预设厚度。本发明至少能够缓解当前工艺容易对鳍栅造成损伤等问题，可以减小或避免对鳍栅的损伤，从而提升半导体器件的电学性能以及产品良率。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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