北京集成电路装备创新中心申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的电学性能以及产品良率_芯片

北京集成电路装备创新中心申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的电学性能以及产品良率

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2025-12-01 11:07:35

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121035049A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。所提供的半导体器件的制备方法，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个相互平行的鳍部，相邻所述鳍部之间具有浅沟槽；利用可流动化学气相沉积工艺于所述浅沟槽内形成填充层，所述填充层的厚度小于所述浅沟槽的深度；利用干法刻蚀工艺对所述填充层进行回刻蚀，使得回刻蚀后剩余的填充层厚度达到预设厚度。本发明至少能够缓解当前工艺容易对鳍栅造成损伤等问题，可以减小或避免对鳍栅的损伤，从而提升半导体器件的电学性能以及产品良率。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法创新中心投资良率集成电路工艺专利北京电学器件浅沟槽半导体鳍部填充层

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