国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN122719138A,申请日期为2017年1月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体装置,半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方,在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中,在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中,在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。
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