国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“在源极/漏极接触部处具有凸形界面的集成电路结构”的专利,公开号CN122719174A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本文公开了在源极/漏极(S/D)接触部处具有凸形界面的集成电路(IC)结构以及相关方法和装置。在一个方面,示例IC结构包括纳米带晶体管,该纳米带晶体管包括S/D区,并且还包括与S/D区连接的接触结构,其中,在IC结构的截面侧视图中,S/D区在与接触结构的界面处的形状是凸形的。
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