华虹半导体申请提高多次可编程存储器单元编程电流窗口专利，优化产品端的晶圆测试良率_芯片

华虹半导体申请提高多次可编程存储器单元编程电流窗口专利，优化产品端的晶圆测试良率

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2026-09-08 18:27:43

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“提高多次可编程存储器单元编程电流窗口的方法及单元”的专利，公开号CN122719080A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种提高多次可编程存储器单元编程电流窗口的方法及单元。该方法包括：提供具有有源区和浅槽隔离区的衬底；利用阱光罩定义栅介电层区域；在电容区域将第一、第二导电类型阱的交界处同有源区与浅槽隔离区的交界处对齐；进行离子注入并利用湿法刻蚀去除屏蔽氧化层，以在浅槽隔离区角部形成深度增加的凹陷；在有源区表面及凹陷内沉积栅极导电材料形成侧壁电容。本发明利用布局对齐诱导的刻蚀增强效应，在不增加版图面积的情况下提升了电容耦合比，从而提高了存储器单元的编程电流窗口，优化了产品端的晶圆测试良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2160条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目944次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7942条，此外企业还拥有行政许可465个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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