国家知识产权局信息显示,无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“SOI晶圆的制备方法”的专利,公开号CN122699566A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本申请提供了一种SOI晶圆的制备方法,属于半导体技术领域。该制备方法包括:在采用慢速氧化工艺形成第一氧化层后,还执行快速氧化工艺继续氧化顶层半导体层,并在快速氧化工艺中根据第一氧化层在每个分区的厚度控制相应的分区的工艺温度,使得第一氧化层与第二氧化层在各分区内的厚度之和尽量相同,即每个分区的顶层半导体层被消耗的厚度尽量相等,从而显著增加去除第一氧化层和第二氧化层之和的顶层半导体层的厚度均匀性。
天眼查资料显示,无锡芯卓湖光半导体有限公司,成立于2023年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目11次,专利信息104条,此外企业还拥有行政许可49个。
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来源:市场资讯