国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管、制作方法及发光装置”的专利,公开号CN122699454A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体制造技术领域,提供一种发光二极管、制作方法及发光装置,该发光二极管包括:半导体叠层,具有露出N型半导体层的若干个N台面及露出P型半导体层的P台面;第一绝缘层,开设有位于N台面之上的第一通孔及位于P台面之上的第二通孔;电极结构,包括N电极、P电极以及键合垫,P电极通过第二通孔与P型半导体层电性连接,N电极包括主体部分及朝向第二侧延伸的多个指状部分,键合垫靠近第二侧并与N电极的指状部分呈叉指状交错分布,键合垫与第一绝缘层形成热耦合。本申请技术方案实现了热流与电流路径的分离,有效解决了热电耦合问题,提升了散热效率,同时兼容常规平坦化工艺,降低了制造成本。
天眼查资料显示,泉州三安半导体科技有限公司,成立于2017年,位于泉州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析,泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目60次,专利信息683条,此外企业还拥有行政许可417个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯