LG伊诺特申请电路板和包括该电路板的半导体封装专利，芯过孔电极可以包括在水平方向上与芯层重叠的贯通部
创始人
2026-09-02 12:57:27
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国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司申请一项名为“电路板和包括该电路板的半导体封装”的专利，公开号CN122680860A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，根据一个实施例的电路板包括：芯层，包括上表面和下表面；上电极层，设置在芯层的上表面上；下电极层，设置在芯层的下表面上；以及芯过孔电极，设置在下电极层的下表面上并且穿过芯层延伸到上电极层的上表面，其中，芯过孔电极可以包括在水平方向上与芯层重叠的贯通部，其中，上电极层可以包括具有与贯通部的宽度相等的宽度的上通孔，并且其中，下电极层可以包括具有比贯通部的宽度小的宽度的下通孔。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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