华虹半导体申请优化渐变浓度超结产品填充及击穿电压窗口专利，极大地拓宽了超结产品的击穿电压窗口
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“优化渐变浓度超结产品填充及击穿电压窗口的方法”的专利，公开号CN122602555A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种优化渐变浓度超结产品填充及击穿电压窗口的方法。该方法包括：在具有沟槽的半导体基底生长具第一浓度的第一掺杂外延层；通入蚀刻气体蚀刻；生长具第二浓度的第二掺杂外延层。其中两层浓度不同。本发明通过在浓度梯度切换间隙引入具有边缘增强特性的蚀刻工艺，增大沟槽顶部开口以扩大填充窗口，解决提前封口问题；同时利用边缘刻蚀速率大于中心速率的特性，针对性降低边缘区域的等效掺杂浓度，纠正因边缘结构偏差引起的电荷失衡。本发明能有效消除外延填充空洞，显著优化晶圆边缘的击穿电压分布，极大地拓宽了超结产品的击穿电压窗口，提升了功率器件的整体性能与制造良率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2098条，此外企业还拥有行政许可119个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息252条，此外企业还拥有行政许可233个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
上一篇：一键操作“熟客金陵城辅牌器”(辅助插件下载教程)哔哩哔哩
下一篇：中国电力科学研究院申请电力系统谐波电压越限治理方法和装置专利，解决了现有依赖全网络精确参数及完整谐波相量关系建立阻抗模型通过潮流计算进行电压调控的方法无法应用于工程现场的问题