原创 韩美芯片巨头互拼,国产存储暴涨716%,海力士:存储涨成这样很抱歉
创始人
2026-08-15 16:45:52
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最近装机、换手机的朋友应该都深有体会:存储价格彻底疯了。

对比2024年夏天,短短1年的时间,16GB DDR5内存从三百出头涨到近一千二,1TB固态硬盘直接翻倍逼近千元大关。存储芯片在手机整机成本中的占比,从原本的10%硬生生飙升到30%,一大批高性价比千元机直接下架停产。不少手机厂商直接官宣了“涨价”,彻底扛不住了。就连海力士的董事长也表示,存储涨成这样很抱歉。

按照行业统计数据,从2024年初到2026年底,DRAM内存价格整体涨幅将突破400%。斯坦福大学调研更直言,如今DDR5每GB的价格,已经退回2008年DDR2的高价时代。不少人开始焦虑:存储是不是再也回不到低价了?刚需只能被迫高价入手?

其实行内人还是很淡定的,因为存储行业有一条延续40年、从未失效的铁律:暴涨之后必有暴跌,而且跌得远比涨得更狠。纵观近四十多年行业发展史,每一轮全球疯涨的行情,最终都会迎来崩盘式回调,历次跌幅普遍在70%—90%,没有一次例外。

这也是半导体行业逃不开的宿命。存储晶圆产线投资动辄百亿美元,建设、爬坡周期长达数年。行业涨价时,所有厂商都会扎堆扩产,没人愿意主动减产;等到需求回落,海量产能集中释放,大家只能打价格战清库存,最终导致行业崩盘,大批中小厂商被洗牌出局。最极端的2000年互联网泡沫时期,16MB内存颗粒从25美元跌至0.75美元,跌幅接近97%。

很多人疑惑,本轮AI驱动的涨价,是不是能打破历史周期?

答案是:短期溢价延续,长期规律不变。这轮涨价和以往完全不同,不是全民需求爆发,而是结构性产能错配。

当下三星、SK海力士、美光三大韩美巨头,把七成以上先进产能全部倾斜给高毛利的HBM高端AI内存。要知道,生产同等容量的HBM,消耗的晶圆产能是普通DDR5的3到4倍。这就导致HBM仅占全球存储出货量的一成左右,却占用了超两成的晶圆产能,直接挤空了消费级、通用级DRAM的产能,催生了本轮疯狂涨价。

但AI热潮的泡沫隐患已经逐渐显现,行业风向已经悄然转变:上游原厂开始主动降价抢单,下游英伟达直接砍配,新一代显卡HBM用量缩水三成,AI高端存储的需求增速已经见顶。

多家权威机构预判,2027到2028年将是本轮存储周期的分水岭,供需彻底平衡后,价格会迎来大幅回落,整体跌幅预计在60%—80%。按照这个幅度测算,本轮涨价顶峰过后,1TB固态大概率回落至190—380元,16GB DDR5内存重回200—400元的亲民区间。唯一区别是,AI高端HBM会维持紧俏行情,但普通民用存储,终将回归周期低谷。

在这场全球存储大洗牌中,行业格局也彻底重构,曾经稳固的韩美“三国杀”局势全面松动。最新Counterpoint数据显示,三星以39%的份额稳居全球第一,双线布局通用内存和HBM,吃下最大涨价红利;SK海力士重度押注HBM,因长协低价锁单,份额从39%骤降至26%;美光逆势上涨至25%,紧追海力士,行业第二的位置岌岌可危。

而这轮巨头战略错位,恰恰给了国产存储千载难逢的突围机会。当韩美大厂扎堆高端HBM、放弃成熟制程通用产能时,国产长鑫存储精准补位,全球份额稳步站稳7%,年营收暴涨716%,稳稳坐稳全球第四的位置,成为全球存储市场最大黑马。

目前国产存储正迎来全方位突破。成熟制程DRAM产能持续放量,订单已经排到2027年;上游材料、设备、封装全链条突破,多家国产企业成功进入韩美巨头供应链,部分封装技术达到国际一流水平,甚至有企业研发出差异化高端存储方案,实现技术弯道超车。更关键的是,外部技术限制倒逼国产替代加速,让国内产业链获得了宝贵的试错和迭代机会。

当然我们也要正视差距,在HBM高端领域,国产仍存在明显技术代差,堆叠层数、良率、核心设备国产化率,和国际顶尖水平还有不小距离。但随着国产产业链持续发力、产能稳步爬坡,叠加行业周期即将反转,国产存储的崛起趋势已经不可逆转。

对普通消费者来说,不用盲目跟风高价入手。按照周期节奏,再耐心等待两三年,就能等到存储价格“打骨折”。对行业而言,本轮AI超级周期,既是洗牌危机,更是国产存储从追赶、并跑到领跑的关键窗口期。

四十多年行业铁律早已证明:没有永远的涨价,只有永远的周期轮转。韩美巨头当下的暴利只是暂时的,产能过剩、价格回调终将到来。而抓住本轮空窗期快速成长的国产存储,未来必将改写全球行业格局。

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