华茂半导体取得分布式双层背面缓冲结构IGBT专利，提高了背面集电极层的注入效率_芯片

华茂半导体取得分布式双层背面缓冲结构IGBT专利，提高了背面集电极层的注入效率

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2026-07-23 05:16:40

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国家知识产权局信息显示，陕西华茂半导体科技有限公司取得一项名为“一种分布式双层背面缓冲结构的IGBT”的专利，授权公告号CN224538635U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种分布式双层背面缓冲结构的IGBT，IGBT包括轻掺杂N型基区、叠加于轻掺杂N型基区之上的正面IGBT沟槽结构层、叠加于轻掺杂N型基区之下的深N+缓冲层、形成于深N+缓冲层下层的集电极层以及叠加于集电极层之下的背面金属层。其中，深N+缓冲层中沿第一方向间隔设置有多个浅N+缓冲层，浅N+缓冲层通过在深N+缓冲层下表面向上进行分布离子注入形成；第一方向平行于深N+缓冲层的下表面。深N+缓冲层和浅N+缓冲层与集电极层接触区域的结构为分布式，提高了背面集电极层的注入效率。

天眼查资料显示，陕西华茂半导体科技有限公司，成立于2023年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3245.8832万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西华茂半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息6条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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