国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“用于受控电阻的金属层之间的通孔成形”的专利,公开号CN122439466A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本案公开内容描述在半导体元件的金属层中的特征之间形成渐缩通孔的结构和方法。可以形成从金属层向外延伸到下方金属层的渐缩通孔,而不是具有90°垂直侧壁和在整个通孔高度上恒定的剖面面积的笔直通孔。可以允许通孔在与下方金属层中的特征平行的方向上扩展尺寸,同时保持恒定的宽度,以便不会扩展超过下部特征的占地区域。这种渐缩形状导致通孔和下部特征之间的界面处的剖面面积更大。这通过增加电流流动面积而降低通孔的电阻,同时也增加了通常具有更高电阻的任何衬垫的面积。
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