锡产微芯申请低导通电阻的沟槽型MOSFET器件专利，能有效降低MOSFET器件的导通电阻
国家知识产权局信息显示，无锡锡产微芯半导体有限公司;江苏中科君芯科技有限公司申请一项名为“低导通电阻的沟槽型MOSFET器件”的专利，公开号CN121793402A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种低导通电阻的沟槽型MOSFET器件。其包括：半导体基板；有源区，包括若干沟槽型元胞，其中，所述沟槽型元胞包括元胞沟槽，所述元胞沟槽内设置槽内导电多晶硅单元，且所述槽内导电多晶硅单元与位于第一导电类型外延层上方的栅极金属欧姆接触；所述槽内导电多晶硅单元包括与第二导电类型阱区对应的栅极部以及与第二导电类型阱区非对应的场板部；在所述沟槽型MOFET器件的截面上，第二导电类型阱区位于第一导电类型外延层内，并将第一导电类型外延层分隔形成两个第一导电类型外延区，且每个第一导电类型外延区均与一形成的场板部对应。本发明能有效降低MOSFET器件的导通电阻，且具备双向导通能力。
天眼查资料显示，无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本309070.2287万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可15个。
江苏中科君芯科技有限公司，成立于2011年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2457.2463万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏中科君芯科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息5条，专利信息277条，此外企业还拥有行政许可19个。
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来源：市场资讯