华虹宏力申请射频开关电路及形成方法专利，第二浅沟槽隔离结构内形成空气间隙_芯片

华虹宏力申请射频开关电路及形成方法专利，第二浅沟槽隔离结构内形成空气间隙

创始人

2025-11-27 16:06:21

0次

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“射频开关电路及形成方法”的专利，公开号CN 121013401 A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种射频开关电路及形成方法，包括：在顶层硅内均形成若干个间隔设置的第一浅沟槽隔离结构和若干间隔设置的有源区；将有源区前两级作为第一区，其余作为第二区，刻蚀第一区的第一浅沟槽隔离结构、埋氧层和部分厚度的底层硅，以形成间隔设置的第二浅沟槽第二浅沟槽位于底层硅的宽度大于位于埋氧层的宽度；填充第二浅沟槽形成第二浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构内形成空气间隙，第二浅沟槽隔离结构的厚度大于第一浅沟槽隔离结构的厚度；在第一区和第二区的顶层硅的表面均形成MOS管的栅极结构，在每个栅极结构两侧的顶层硅内分别形成MOS管的源端和漏端，其中，第二浅沟槽隔离结构部分位于第一区的源端和漏端的下方。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资沟槽隔离上海华虹导体结构专利埋氧层源端有源区射频开关

上一篇：强达电路：11月26日融资买入937.7万元，融资融券余额1.67亿元

下一篇：跌幅榜丨同类跌幅最小！芯片设备ETF（560780）仅跌0.5%

华虹宏力申请射频开关电路及形成方法专利，第二浅沟槽隔离结构内形成空气间隙

相关内容

热门资讯