湖北江城芯片申请芯片封装结构及其制造方法专利，提高了D2W工艺的良品率_芯片

湖北江城芯片申请芯片封装结构及其制造方法专利，提高了D2W工艺的良品率

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2026-04-02 19:38:24

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国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构及其制造方法”的专利，公开号CN121772837A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体技术，尤其涉及一种芯片封装结构及其制造方法，封装结构包括基底晶圆和多个芯片，多个芯片键合在基底晶圆上，临近所述间隙的所述芯片的侧边与所述上表面的连接部分，包括不垂直于所述上表面的过渡面。且间隙沿远离所述基底晶圆的方向逐渐扩大。本公开使间隙呈上宽下窄的结构，降低了介质层填充间隙时的材料传输难度，避免间隙内形成气隙或空洞，提高了D2W工艺的良品率。

天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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