中芯集成电路申请封装结构及其形成方法专利，测试接入层不会被切割液腐蚀_芯片

中芯集成电路申请封装结构及其形成方法专利，测试接入层不会被切割液腐蚀

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2026-04-01 19:59:50

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国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“封装结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN121757801A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种封装结构及其形成方法、电子设备，形成方法包括：将第二晶圆键合在第一晶圆上，使第一芯片和第二芯片电连接，切割区与测试接入层相对应，第二晶圆和第一晶圆之间构成隧道结构，测试接入层暴露在隧道结构中，并在测试接入层表面形成保护层，从而在对第二晶圆的切割区进行切割时，露出第一晶圆中的测试接入层的步骤中，因为保护层的存在使得切割过程中产生的杂质容易随着切割过程的切割液冲走，而且保护层将切割第二晶圆过程中的切割液与测试接入层不接触，从而测试接入层不会被切割液腐蚀，使得测试接入层与外部的测试结构能够进行正常的测试连接，也使后续过程中，测试接入层上能够进行封装打线。

天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息70条，专利信息531条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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