成都能斯特取得陶瓷芯片泵腔室层结构专利，提升陶瓷芯片测试精度_芯片

成都能斯特取得陶瓷芯片泵腔室层结构专利，提升陶瓷芯片测试精度

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2026-04-01 05:51:41

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国家知识产权局信息显示，成都能斯特新材料科技有限公司取得一项名为“一种陶瓷芯片的泵腔室层结构、陶瓷芯片及氮氧传感器”的专利，授权公告号CN224064428U，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种陶瓷芯片的泵腔室层结构、陶瓷芯片及氮氧传感器，涉及传感器技术领域，泵腔室层结构包括气体入口缓冲腔室，气体入口缓冲腔室后端依次设置有主泵腔室、辅泵腔室、测量泵腔室，气体入口缓冲腔室为弧形结构；陶瓷芯片包括该泵腔室层结构；氮氧传感器包括该陶瓷芯片。泵腔室层结构中的气体入口缓冲腔室设置为弧形结构，能够有效地避免尾气进入陶瓷芯片后发生湍流的现象提高了尾气进入陶瓷芯片后的稳定性，进而提升了陶瓷芯片的测试精度。含有该泵腔室层结构的陶瓷芯片的外表面为弧形轮廓，主泵腔室、辅泵腔室、测量腔室和电机均为弧形轮廓设计，有利于消除和降低正常工作时的应力集中，提升了陶瓷芯片的使用寿命。

天眼查资料显示，成都能斯特新材料科技有限公司，成立于2020年，位于成都市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本6984.267244万人民币。通过天眼查大数据分析，成都能斯特新材料科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业弧形缓冲投资陶瓷斯特精度芯片结构专利腔室泵腔室层

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