长鑫科技申请存储器及电子设备专利，有助于减小第一晶体管的关态漏电流_芯片

长鑫科技申请存储器及电子设备专利，有助于减小第一晶体管的关态漏电流

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2026-03-30 14:29:21

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及电子设备”的专利，公开号CN121751624A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种存储器及电子设备。存储器包括字线、位线以及存储器单元，存储器单元包括第一晶体管和数据存储节点，第一晶体管包括栅极、有源层、源电极和漏电极。栅极与字线耦接，有源层环绕栅极，有源层的材料为氧化物半导体，源电极与有源层之间为肖特基接触，源电极与位线耦接，漏电极与有源层之间为欧姆接触，漏电极与数据存储节点耦接。该存储器有助于减小第一晶体管的关态漏电流，同时有助于提高第一晶体管在存储器单元的充电过程中的开态饱和电流，还有助于使得第一晶体管具有较小的亚阈值摆幅。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息282条，专利信息632条，此外企业还拥有行政许可38个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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