拓尔微电子申请过压保护电路及芯片专利，避免由于功率管的体二极管续流导致VDD升高从而导致芯片损坏的问题_芯片

拓尔微电子申请过压保护电路及芯片专利，避免由于功率管的体二极管续流导致VDD升高从而导致芯片损坏的问题

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2026-03-14 13:53:26

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国家知识产权局信息显示，拓尔微电子股份有限公司申请一项名为“一种过压保护电路及芯片”的专利，公开号CN121663424A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开一种过压保护电路及芯片，涉及集成电路设计领域，能够对VDD进行两级过压保护，避免由于功率管的体二极管续流导致VDD升高，从而导致芯片损坏的问题。具体可以包括：第一保护模块，用于在电源电压大于第一过压阈值时，输出第一过压信号；检测模块，第一端接入电源电压，第二端接地，第三端与第一保护模块连接，用于在电源电压大于第二过压阈值时，输出第二过压信号，第二过压阈值大于第一过压阈值；第二保护模块，第一端接入电源电压，第二端接地，第三端与功率管连接，第四端与检测模块连接，第五端与第一保护模块连接，用于在接收到第一过压信号和第二过压信号后，开启功率管，以泄放电源电压和输出端的能量。

天眼查资料显示，拓尔微电子股份有限公司，成立于2007年，位于西安市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本36449.975万人民币。通过天眼查大数据分析，拓尔微电子股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息43条，专利信息325条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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