韶光半导体申请基于临时补偿单元的CMOS模拟开关系统专利，抵消电荷注入效应_芯片

韶光半导体申请基于临时补偿单元的CMOS模拟开关系统专利，抵消电荷注入效应

创始人

2026-03-13 11:55:23

0次

国家知识产权局信息显示，长沙韶光半导体有限公司申请一项名为“一种基于临时补偿单元的CMOS模拟开关系统”的专利，公开号CN121643710A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明集成电路技术领域，具体为一种基于临时补偿单元的CMOS模拟开关系统，包括：自适应栅极驱动与传感单元实时获取反映主CMOS模拟开关单元导通状态的电学传感信号，智能控制逻辑单元根据传感信号和/或外部输入参数生成补偿驱动信号，动态可重构临时补偿单元根据该信号向信号路径注入或抽取可动态配置的补偿电流或电压，以抵消电荷注入效应、校正导通电阻非线性失真，并动态优化带宽、切换速度与线性度之间的性能权衡。本发明通过引入智能化的实时传感与动态补偿机制，实现了对CMOS模拟开关固有缺陷的综合自适应补偿，提升了开关系统的精度、线性度、速度与稳定性。

天眼查资料显示，长沙韶光半导体有限公司，成立于2004年，位于长沙市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本2040.82万人民币。通过天眼查大数据分析，长沙韶光半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目62次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

韶光动态投资模拟单元开关补偿电荷专利抵消长沙线性度信号

上一篇：京东方取得电平转换电路、显示装置及驱动方法专利

下一篇：去年315曝光电子签隐身放贷企业现状

韶光半导体申请基于临时补偿单元的CMOS模拟开关系统专利，抵消电荷注入效应

相关内容

热门资讯