英飞凌申请磁阻传感器专利，减小外部磁场沿屏蔽轴线对自由层的影响
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2026-03-13 01:23:22
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“磁阻传感器”的专利，公开号CN121633937A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种磁阻传感器(500)。磁阻传感器(500)包括具有至少一个参考层(512)和至少一个自由层(516)的层堆叠(510)，该参考层具有垂直于层堆叠的平面的参考磁化，该自由层具有涡旋磁化。磁阻传感器(500)还包括至少一个与层堆叠相邻布置的软磁屏蔽件(520)，该软磁屏蔽件设计用于减小外部磁场沿屏蔽轴线(530)对自由层(516)的影响。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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