台亚半导体申请发光二极管专利，使得P型电极的已埋入部分的每一侧面贴合P型半导体层
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2026-03-11 15:24:56
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管”的专利，公开号CN121646071A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管包括基板、半导体发光结构、P型电极和N型电极。半导体发光结构包括P型半导体层、发光层和N型半导体层，P型半导体层位于基板上，发光层位于P型半导体层上，且N型半导体层位于发光层上；其中P型半导体层包括彼此相对的第一侧和第二侧，基板连接第一侧，且发光层连接第二侧；P型电极从P型半导体层的第二侧朝向第一侧埋入P型半导体层内，使得P型电极的已埋入部分的每一侧面贴合P型半导体层；并且N型电极位于N型半导体层上。
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来源：市场资讯
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