智诚尚芯申请基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件专利，低动态电阻
创始人
2026-03-11 15:13:28
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国家知识产权局信息显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司申请一项名为“基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件”的专利，公开号CN121645934A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件，具体涉及电力电子器件技术领域，该器件包括衬底以及衬底自下向上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及p‑GaN层，设置在AlGaN势垒层上的p‑GaN层厚度为1nm～40nm，p‑GaN层厚度、AlGaN层厚度以及Al组分与器件的阈值电压和动态导通电阻之间存在映射关系。
天眼查资料显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司，成立于2023年，位于马鞍山市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息5条。
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来源：市场资讯
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