国家知识产权局信息显示,朗姆研究公司申请一项名为“用于逻辑和存储器的钼金属化及填充技术”的专利,公开号CN121605765A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本发明提供了一种在特征中沉积钼的方法和相关装置,该方法包括:将包含待填充钼的衬底提供给室,该特征具有一个或更多个开口;在该特征中沉积钼的保形薄膜;非保形地处理该保形薄膜以提高蚀刻速率,其中该处理相对于该保形薄膜较远离该一个或更多个开口的部分而优先作用于该保形薄膜接近该一个或更多个开口的部分;非保形地蚀刻该保形薄膜;以及在该特征内沉积钼。
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来源:市场资讯