苏州晶湛半导体申请半导体结构专利，提高器件可靠性_芯片

苏州晶湛半导体申请半导体结构专利，提高器件可靠性

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2026-03-03 16:42:06

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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121604479A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层包括栅极区域、以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；P型半导体层，P型半导体层至少位于栅极区域并位于势垒层远离衬底的一侧；其中，P型半导体层包括依次层叠设置的非激活层、N型掺杂层和激活层，非激活层位于P型半导体层靠近衬底的一侧。本公开N型掺杂层的设计可使P型半导体层具有激活层和非激活层，激活层用于保证半导体结构的常关状态，非激活层用于降低栅极漏电流，提高器件可靠性。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息326条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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