晶合集成获得发明专利授权：“具有MIM电容的半导体器件及其制作方法”_芯片

晶合集成获得发明专利授权：“具有MIM电容的半导体器件及其制作方法”

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2026-02-25 04:41:21

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有MIM电容的半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202511564465.4，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本发明公开了一种具有MIM电容的半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供金属间介电层；形成位于该金属间介电层上的中间介质层；在中间介质层及金属间介电层上形成金属层；研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层；在距离中间介质层一定距离的位置处，刻蚀金属层，在中间介质层两侧形成MIM电容的上极板和下极板，且将MIM电容区域和非MIM电容区域隔离。本发明形成的具有MIM电容的半导体器件性能好、可靠性高。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

企业极板信息方面介质天眼电容晶合专利金属电层器件介质层

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