中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构制作良率_芯片

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构制作良率

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2025-11-24 19:07:38

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 120998874 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；所述基底包括用于形成半导体鳍第一区域，以及位于第一区域之间第二区域；形成位于第一区域基底上多个半导体鳍；形成覆盖多个半导体鳍的隔离层，隔离层在第二区域围成位于半导体鳍之间的隔离沟槽；在隔离沟槽内填充介质层；去除部分隔离沟槽内介质层及位于介质层下方隔离层和部分基底，形成互连沟槽；形成位于互连沟槽底部的底部连接线；在互连沟槽内形成位于底部连接线上方的伪垂直连接线；在伪垂直连接线两侧半导体鳍上形成源漏掺杂层；形成横跨多个半导体鳍的栅极结构；去除伪垂直连接线；在互连沟槽内填充导电材料，形成位于底部连接线上互连导电层；本发明实施例有利于提高半导体结构制作良率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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