西安龙威半导体申请横向绝缘栅双极晶体管专利，实现耐压性、可靠性和整体性能的协同优化_芯片

西安龙威半导体申请横向绝缘栅双极晶体管专利，实现耐压性、可靠性和整体性能的协同优化

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2026-02-18 17:11:56

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国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN121548060A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法，横向绝缘栅双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、沟道衬底接触、源区、埋氧型沟槽、漏区、栅氧化层、栅极、源极和漏极；其中，外延层位于衬底上；基区、埋氧型沟槽和漏区均从外延层的表面延伸至外延层内部，且埋氧型沟槽位于基区和漏区之间；沟道衬底接触和源区均从基区的表面延伸至外延层内部，且沟道衬底接触和源区相邻，源区一侧的基区中形成沟道；栅氧化层覆盖源区的部分表面、沟道和外延层的部分表面，栅极位于栅氧化层上；源极覆盖沟道衬底接触的部分表面和源区的部分表面；漏极位于漏区上。该横向绝缘栅双极晶体管实现了耐压性、可靠性和整体性能的协同优化。

天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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