上海集成电路研发中心申请图像传感器制备方法及图像传感器专利，达到减小暗电流的目的_芯片

上海集成电路研发中心申请图像传感器制备方法及图像传感器专利，达到减小暗电流的目的

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2026-06-23 16:09:15

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种图像传感器制备方法及图像传感器”的专利，公开号CN122269843A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种图像传感器制备方法及图像传感器，属于半导体技术领域。本申请采用在浮动扩散部下方形成P型重掺杂区，使浮动扩散部下方的P型重掺杂区与N型轻掺杂区的耗尽区由原本的四方体梯形向上弯曲为半月型，使该耗尽区落在浅沟槽隔离结构的面积变小，达到减小暗电流的目的。同时，通过刻蚀与低温外延生长工艺，限制P型重掺杂区的扩散，使P型重掺杂区被限制在远离浅沟槽隔离结构的区域，P型重掺杂区的横向面积上小于N型轻掺杂区。由于P型重掺杂区竖方向上的电场远强于横方向上的电场，从而使横方向上靠近浅沟槽隔离结构的电场强度降低，使得能起到复合中心作用的缺陷能够吸收的电子或空穴相对原结构变少，从而达到降低暗电流的作用。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目301次，财产线索方面有商标信息108条，专利信息2208条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽图像电场传感器集成电路结构专利掺杂区浅沟槽耗尽区图像传感器

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