长江存储申请存储器件及其制造方法专利，第三半导体主体沿第二方向的尺寸大于第二半导体主体沿第二方向的尺寸_芯片

长江存储申请存储器件及其制造方法专利，第三半导体主体沿第二方向的尺寸大于第二半导体主体沿第二方向的尺寸

创始人

2026-02-17 16:12:46

0次

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器件及其制造方法”的专利，公开号CN121531705A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种存储器件及其制造方法，该存储器件包括：均沿第一方向以及第二方向延伸并沿第三方向排布的第一半导体主体、第二半导体主体、第三半导体主体，以及沿第三方向延伸的第一导电线；第一半导体主体以及第二半导体主体位于第三半导体主体沿第三方向相对的两侧中的同一侧，第一导电线至少位于第一半导体主体、第二半导体主体以及第三半导体主体沿第二方向相对的两侧中的一侧；第三半导体主体沿第二方向的尺寸大于第二半导体主体沿第二方向的尺寸，且小于第一半导体主体沿第二方向的尺寸；第二方向与第三方向相交，且均与第一方向垂直。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1445次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造主体投资器件方向尺寸存储导体专利半导体

上一篇：光梓信息科技取得数模转换器阵列芯片以及数模转换方法专利

下一篇：科华数据取得旁路状态检测方法、装置及不间断电源专利

长江存储申请存储器件及其制造方法专利，第三半导体主体沿第二方向的尺寸大于第二半导体主体沿第二方向的尺寸

相关内容

热门资讯